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        臺積電2024年將量產突破性的2nm工藝晶體管

        作者:時間:2020-09-25來源:IT之家 收藏

        9 月 25 日消息 據 wccftech 報道,臺灣半導體制造公司(TSMC)在 半導體制造節點的研發方面取得了重要突破:有望在 2023 年中期進入 工藝的試生產階段,并于一年后開始批量生產。

        本文引用地址:http://www.germanstandard.com.cn/article/202009/418774.htm

        目前,的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝,該工藝將用于為 iPhone 12 等設備構建處理器。

        工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應(MBCFET)晶體管,它是對先前 FinFET 設計的補充。

        臺積電第一次作出將 MBCFET 設計用于其晶體管而不是交由晶圓代工廠的決定。三星于去年 4 月宣布了其 3nm 制造工藝的設計,該公司的 MBCFET 設計是對 2017 年與 IBM 共同開發和推出的 GAAFET 晶體管的改進。三星的 MBCFET 與 GAAFET 相比,前者使用納米線。這增加了可用于傳導的表面積,更重要的是,它允許設計人員在不增加橫向表面積的情況下向晶體管添加更多的柵極。

        IT之家了解到,臺積電預計其 2 納米工藝芯片的良率在 2023 年將達到驚人的 90%。若事實如此,那么該晶圓廠將能夠很好地完善其制造工藝,并輕松地于 2024 年實現量產。三星在發布 MBCFET 時表示,預計 3nm 晶體管的功耗將分別比 7nm 設計降低 30% 和 45% 并將性能提高 30%。



        關鍵詞: 臺積電 2nm

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